声表面波用高锂钽酸锂(HLT)晶片

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产品中心 Admin 2024-05-25 17:49:18 1489

切向

Y36°-X;Y42°-X;

直径

76.2±0.2mm

100.0±0.2mm

150.0±0.2mm

主基准面长度(OF)

22±2mm

32±2mm

47.5±2mm

居里温度

675±5℃,

第二基准面

根据客户要求而定

厚度

180~250±20μm,350±20μm,

翘曲度(WARP)

<25μm

弯曲度(BOW)

-25μm<BOW<25um

TTV

<5μm

PLTV(LTV<1μm)

>95%(5mm*5mm)

正面粗糙度

<1nm

背面粗糙度

GC1000#及客户定制

表面缺陷数量(直径<0.3μm)

<500个

应用领域

对温度稳定性和机电耦合系数有特殊要求的声表面波器件

 

声表面波高锂钽酸锂晶片(HIGT Li LiTaO3; HLT)声学基本性能指标:

切向

Y36°

Y42°

波传输方向

X

X

机电耦合系数(%)

9.6

11.2

温度漂移系数(ppm/℃)

-12

-18.3

声表面波波速(m/s)

4196

4078

 

 


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