产品中心-宁夏距晶源晶体科技有限公司产品中心
专注高端晶片材料研发，满足多元化应用需求
-
近化学计量比铌酸锂（NSLN）晶片
切向X-Z ；Z-X 直径76.2±0.2mm100.0±0.2mm150.0±0.2mm基准面宽度22±2mm32±2mm47.5±2mm第二基准面根据客户要求而定厚度180~250±um, 350±20um, 500±20um翘曲度 -
近化学计量比钽酸锂（NSLT）晶片
切向X-Z ；Z-X 直径76.2±0.2mm100.0±0.2mm150.0±0.2mm基准面宽度22±2mm32±2mm47.5±2mm第二基准面根据客户要求而定厚度180~250±um, 350±20um, 500±20um翘曲度 -
光学用同成份铌酸锂（CLN）晶片
切向X-Z ；Z-X 直径76.2±0.2mm100.0±0.2mm150.0±0.2mm基准面宽度22±2mm32±2mm47.5±2mm第二基准面根据客户要求而定厚度180~250±um, 350±20um, 500±20um翘曲度 -
声表面波用高锂钽酸锂（HLT）晶片
现阶段主要向市场提供高性能各种用途的同成份钽（铌）酸锂产品, 主要包括声表面波（SAW）器件用3-6" 各种规格、方向的黑色、白色，高平整度、高光洁度的晶片 -
光学用同成份钽酸锂（CLT）晶片
Mainly includes surface acoustic wave (SAW) devices with 3-6" various specifications, directions of black, white, high flatness, high finish of the chip -
热释电用钽酸锂晶片
市场上超薄钽酸锂晶片一般为钽酸锂薄膜或键合SiO2后使用离子切片法将其制作成薄片，钽酸锂薄膜是多晶结构，性能不及单晶优异，而基于键合法钽酸锂薄片制作的声表面波滤波器的温度漂移系数有大幅度下降，但是机电耦合系数也急剧下降，同理，基于以上两种方法制作的热释电探测器具有制作工艺复杂且性能具有不同幅度的下降。我们公司生产的超薄片是基于机械方法制作，不具备键合层，且是单晶，故基于其制作的热释电探测器件性能更... -
声学级钽酸锂晶片
声表面波级同成分钽酸锂晶片（congrent LiTaO3; CLT)切向Y36°-X ；Y42°-X ；X-Y112°；X-Z ；Z-X 及客户定制直径76.2±0.2mm100.0±0.2mm150.0±0.2mm基准面宽度22±2mm32±2mm47.5±2mm居里温度603±2℃，605±2℃第二基准面根据客户要求而定厚度180~250±20um, 350±20um, 500±20um，客户定制翘曲度 -
声学级铌酸锂晶片
市场上超薄钽酸锂晶片一般为钽酸锂薄膜或键合SiO2后使用离子切片法将其制作成薄片，钽酸锂薄膜是多晶结构，性能不及单晶优异，而基于键合法钽酸锂薄片制作的声表面波滤波器的温度漂移系数有大幅度下降，但是机电耦合系数也急剧下降，同理，基于以上两种方法制作的热释电探测器具有制作工艺复杂且性能具有不同幅度的下降。我们公司生产的超薄片是基于机械方法制作，不具备键合层，且是单晶，故基于其制作的热释电探测器件性能更... -
超薄片
可根据客户需要生产40微米以上钽酸锂和铌酸锂各种规格超薄片 -
晶片黑化处理
-
二维SLT介电超晶格结构研发
钽酸锂晶片内部的Li/Ta=47.5/51.5，化学计量比钽酸锂晶片内部Li/Ta接近1，相较于钽酸锂晶片具有更少的缺陷
