切向

Z切

直径(mm)

76.2±0.2mm

100.0±0.2mm

150.0±0.2mm

晶片正面（Ra）

<1nm

<1nm

<1nm

晶片背面（Ra）

<1nm

<1nm

<1nm

厚度

30-60μm

30-60μm

30-60μm

热释电系数(uＣ／℃ｍ^２)实测

２２９.７４８

正切损耗(％)实测

０.１６

应用领域

热释电探测器